IRF540 (Mới)

    Thông số kỹ thuật:

       Điện áp đánh thủng: 100V.

        Điện áp V_GS = +/-20V

        Dòng chịu đựng trung bình: 23A.

        Nhiệt độ hoạt động: -55^oC ~ 150^oC.

        Công suất: 100W

      Mosfet IRF540 là mosfet kênh N hay mosfet ngược

      Mosfet IRF540 là Transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) là một Transistor  đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường. Mosfet thường có công suất lớn hơn rất nhiều so với BJT, Mosfet IRF540 có công suất là 100W. Đối với tín hiệu 1 chiều thì nó coi như là 1 khóa.