Thông tin kỹ thuật chi tiết Sò Transistor B817 như sau :
- Loại Designator: 2SB817
- Chất liệu của transistor: Si
- Phân cực: PNP
- Tối đa tản quyền lực thu (Pc), W: 100
- Tối đa điện áp collector-base | UCB |, V: 160
- Tối đa điện áp collector-emitter | UCE |, V: 160
- Tối đa điện áp emitter-base | Trường ĐHKT |, V: 6
- Tối đa thu hiện tại | Ic max |, A: 12
- Maksimalna nhiệt độ (Tj), ° C: 150
- tần số chuyển đổi (ft), MHz: 7.5
- Collector điện dung (Cc), pF: 300
- Chuyển tiếp tỷ lệ chuyển nhượng hiện tại (hFE), min: 60
- Tiếng ồn Hình, dB: –
- Gói 2SB817 transistor: TO220.