Thông số kỹ thuật 2N5551 :
- Chất liệu của transistor: Si
- Phân cực: NPN
- Tối đa tản quyền lực thu (Pc), W: 0,31
- Tối đa điện áp collector-base | UCB |, V: 180
- Tối đa điện áp collector-emitter | UCE |, V: 160
- Tối đa điện áp emitter-base | Trường ĐHKT |, V: 6
- Tối đa thu hiện tại | Ic max |, A: 0.6
- Maksimalna nhiệt độ (Tj), ° C: 135
- tần số chuyển đổi (ft), MHz: 100
- Collector điện dung (Cc), pF: 6
- Chuyển tiếp tỷ lệ chuyển nhượng hiện tại (hFE), min: 80